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東莞記憶研發(fā)生產(chǎn)中心項目

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Project description
項目介紹
東莞記憶存儲科技有限公司坐落在東莞美麗的松山湖高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),目前主要從事動態(tài)隨機儲存(DRAM)和閃存(FLASH)晶片封裝測試及工控產(chǎn)品與伺服器製造。 創(chuàng)興建設承接了記憶運營研發(fā)生產(chǎn)中心-辦公樓(A) -06標段工程項目、記憶運營研發(fā)生產(chǎn)中心一期中試車間(一)二層車間改造項項目和憶運營研發(fā)生產(chǎn)中心(三期)項目之2.3樓裝修工程。
Project profile
工程概況

項目地址: 東莞松山湖工業(yè)東路32號

承建範圍:(1)、2F-4F萬級淨化車間及1F倉庫及機房(地面加固、冰水機系統(tǒng)+空調(diào)、空壓機系統(tǒng)+ 管道、集塵系統(tǒng)+管道、配電、消防、無塵室內(nèi)安裝、防靜電地板膠)  (2)、淨化車間及倉庫等(冰水機系統(tǒng)+空調(diào)、 空壓機系統(tǒng)+管道、配電、消防、無塵室 內(nèi)安裝、環(huán)氧地面) (3)、3F淨化車間/2F倉庫(冰水機系統(tǒng)+空調(diào)、 空壓機系統(tǒng)+管道、配電、消防、無塵室內(nèi)安裝、防靜電環(huán)氧地面)

承建面積: (1)、11000㎡ (2)、6100㎡ (3)、9800㎡

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