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東莞記憶研發(fā)總部-2號研發(fā)樓/3號地下室項目之園林景觀工程

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  • 項目介紹
  • 工程概況
Project description
項目介紹
記憶科技集團成立于1997年,擁有服務器、內(nèi)存模組、固態(tài)硬盤(包含企業(yè)級、數(shù)據(jù)中心級、消費級固態(tài)硬盤)、嵌入式存儲、以及工控安全存儲芯片等記憶體模組產(chǎn)品,廣泛應用于云計算、企業(yè)級數(shù)據(jù)中心、智能終端、個人電腦、工業(yè)計算機、以及信息安全領域。記憶科技集團在深圳、蘇州、北京、成都、上海、東莞設有六大研發(fā)中心,在東莞、惠州、鄭州設有三座現(xiàn)代化制造基地,能夠為全球客戶提供從晶圓測試與分級、芯片封裝與測試,擁有數(shù)十條世界一流的全自動化高速SMT生產(chǎn)線。
東莞記憶存儲科技有限公司坐落在東莞美麗的松山湖高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),目前主要從事動態(tài)隨機儲存(DRAM)和閃存(FLASH)芯片封裝測試及工控產(chǎn)品與服務器制造。
Project profile
工程概況

項目地址: 廣東省東莞市松山湖金多港西一路東側

承建范圍: 下沉區(qū)、一層、屋面層景觀園建工程、軟景工程、電氣工程、給排水工程等。分為1 號研發(fā)樓周邊景觀、2 號樓周邊景觀和屋頂景觀、室外廣場的水景、下沉廣場的水景以及所有景觀的給排水、機電照明等管網(wǎng)、線路敷設和控制,特色座椅、條石坐凳區(qū)域、車道出入口景觀墻、廣場的地面石材鋪貼及給排水系統(tǒng)、綠植及樹種、臺階、人防安全通道炮樓拆除及修補、出入口的石材景觀及給排水系統(tǒng)等區(qū)域等項目的供應、制作、安裝所需的一切工作內(nèi)容。該標主入口景觀,包括地面、泛光燈、混凝土擋土墻、凹槽以及排水系統(tǒng)等輔料。廣場水景墻及水池,包括景觀水池表面的石材、支架、水墻底部溝槽地燈、水池及水池溝槽地燈、石凳以及水池水墻的給排水系統(tǒng)。廣場的地面,包括石材架空鋪裝及支座、給排水系統(tǒng)、地面防水、樹坑的給排水系統(tǒng)及回填、灌木采購、廣場的照明系統(tǒng)、人防樓梯間的拆除及封堵。

承建面積: 17815.72 ㎡

完成時間: 2023年2月6日 —— 2023年6月6日

工期時長: 120天

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